環境控制樣品載台

原位 X 光分析 (in situ XRD) 一般又稱為可控環境同步分析，為學術界與工業環境中先進材料研究的主要應用之一。

材料的巨觀特性通常與其結構特性直接相關 (例如，結晶對稱性、晶粒大小、原子空缺、奈米顆粒或奈米孔隙的大小和形狀等等)。溫度、氣壓、氣體以及外加壓力都有機會觸發結構相變、化學反應，以及再結晶等材料變化。

要正確精準分析這些變化的原位特性，X 光繞射 (XRD) 與 X 光散射技術是您的首選，有時它也是您的唯一的選擇。無論是要最佳化產品製程，優化樣品合成步驟，或從事先進材料研發及製造，原位 X 光分析都是您最佳且全方位的量測研究工具。

反射幾何粉末 XRD，可快速加熱至 1600 ºC。

可進行穿透式與反射式之粉末 XRD，基本應力量測、SAXS、PDF 與薄膜分析，溫度最高可達 1200 ºC。

可進行反射式粉末 XRD分析，可快速加熱至 2000 ºC。

可進行反射式與穿透式粉末 XRD，基本應力量測與薄膜分析，量測溫度範圍 -190 °C 至 +600 °C

可進行反射式粉末 XRD，基本應力量測與薄膜分析，可控制溫度與濕度。

可進行反射式粉末 XRD、基本應力量測與薄膜分析，溫度範圍介於 -261 °C (12 K) 到 + 25 °C (298 K)。

適用於穿透式毛細管 XRD，可進行粉末 XRD，基本 SAXS 及 PDF 量測，溫度範圍介於 -193 ºC (80 K) 到 227 ºC (500 K)。

適用於反射式粉末 XRD、基本應力量測與薄膜分析，溫度範圍介於 -203 ºC (70 K) 到 252 ºC (525 K)。

適用於反射式粉末 XRD，基本應力量測與薄膜分析，溫度最高 900 ºC，壓力最高 10 bar，適用多種氣體。

進階薄膜分析與應力量測，溫度介於 -180 ºC 到 500 ºC 。

進階薄膜分析、應力、織構及基本反射式粉末 XRD，溫度最高 1100 ºC。

Anton Paar BTS 150 及 BTS 500 桌上型 XRD 控溫樣品載台，最經濟的原位 XRD 解決方案 (-10 °C 至 +500 °C)。

下載功能比較以獲取環境控制套件及其相關應用之概述。