Reflectometria de raios X (XRR)

Filmes finos, superfícies e interfaces

A reflectometria de raios X (XRR) é uma técnica analítica que investiga estruturas em camadas finas, superfícies e interfaces com o uso do efeito do reflexo externo total dos raios X. 

A reflectometria é usada para caracterizar estruturas de camadas individuais ou múltiplas e revestimentos em materiais magnéticos, semicondutores e ópticos, entre outros.

Medições de reflectometria de raios X

Nos experimentos de refletividade, a difração dos raios X de uma amostra é medida em torno do ângulo crítico. 

Isso acontece em torno de ângulos de incidência rasante. Abaixo do ângulo crítico da difração externa total, os raios X penetram somente alguns nanômetros na amostra. Acima desse ângulo, a profundidade de penetração aumenta rapidamente. Em cada interface em que a densidade do elétron muda, uma parte do feixe de raios X é refletida. 

A interferência desses feixes de raios X parcialmente refletidos gera o padrão de oscilação observado nos experimentos de refletividade. 

A partir dessas curvas de refletividade, parâmetros de camadas, como espessura e densidade, interface e rugosidade da superfície, podem ser determinados, independentemente da cristalinidade de cada camada (somente cristalina, policristalina ou amorfa).

Soluções de reflectometria

Os experimentos de reflectometria podem ser feitos nos sistemas Empyrean da Malvern Panalytical. 

Os dados da reflectometria podem ser analisados por meio de procedimentos de adequação automática implementados no pacote de software de Reflectivity. Parte da linha de aplicativos de software XRD da Malvern Panalytical, o Reflectivity usa o formato de dados XRDML. Por possibilitar a adequação automática de curvas de refletividade de raios X especulares simuladas a experimentais, o Reflectivity torna a reflectometria, que antes era de uso de profissionais avançados, disponível a qualquer usuário.

Empyrean

Empyrean

O difratômetro inteligente

Tecnologia
X-ray Diffraction (XRD)
Tipo de medição
Determinação de estrutura cristalina
Identificação de fase
Quantificação de fase
Detecção e análise de contaminantes
Tensão residual
Análise de epitaxia
Rugosidade da interface
Análise de textura
Estrutura/imagem 3D
Análise de espaço recíproco
Configuração de Goniômetro Vertical goniometer, Θ-Θ
Faixa de tamanho das partículas: 1 - 100 nm