역격자 공간 매핑은 역격자 공간 지도(RSM)를 측정하는 고분해능 X선 회절 방법입니다. 역격자 격자 점 주위의 이러한 지도를 통해 고분해능 로킹 곡선과 같은 단선 주사에서 제공되는 정보 이상의 추가 정보를 확인할 수 있습니다. 일반적으로 RSM을 사용하여 일반적으로 피크 변위, 피크 확장 또는 피크 겹침을 해석할 수 있습니다.

피크 위치

에피택셜 완충층과 가상 기질의 격자 변형 이완이 층 경동을 수반하여 피크 변위가 발생하는 경우가 많습니다. 비대칭 반사의 브래그 피크도 에피택셜 변형의 결과로 로킹 곡선에서 변위됩니다. 기존 고분해능 로킹 곡선 측정에서는 에피택셜층의 불일치 및 스레딩 전위로 피크 확장 및 피크 겹침이 증가할 수 있습니다. RSM 측정은 브래그 피크를 정밀하게 측정할 수 있도록 이러한 효과를 분리하는 방법입니다. 이는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)와 LED의 GaN 기반 장치 등 화합물 반도체의 변형, 격자 이완, 조성 및 층 두께 결정에 중요하게 작용합니다.


층 품질

역격자 공간 매핑은 얇은 층 구조의 전반적인 층 품질 조사에 특히 효과적입니다. 에피택셜층에 결함이 있으면 해당 에피택셜층은 서로에 대해 기울어지거나 회전하는 완벽한 결정 영역인 모자이크 블록으로 분할됩니다. 마찬가지로, 다결정질 증착층의 결정립은 공통(섬유) 방위를 공유할 수 있습니다. 역격자 공간 매핑을 사용하여 모자이크 블록의 크기와 상대적 기울기를 측정하고 증착된 막의 텍스처를 조사할 수 있습니다. 이 모자익시티에서 발생하는 피크 확장도 역격자 공간 매핑을 통해 다른 효과(예: 기질 곡률)에 기인하는 피크 확장과 명확하게 구분할 수 있습니다.

URSM으로 초고속 검출 실현

최근 데이터 스트리밍 및 관리가 발전하여 거의 모든 최고 분해능 응용 분야의 초고속 역격자 공간 매핑(URSM)에 PIXcel3D 검출기를 사용할 수 있습니다. 이전보다 짧은 시간에 더 큰 역격자 공간을 적용할 수 있습니다.

예를 들면, 사파이어의 GaN 합금층의 전체(0002) 역격자 공간을 30초 만에 수집할 수 있습니다. 아래 전체 동영상을 확인해 보세요.