La reflectometría de rayos X (XRR) es una técnica analítica para investigar las estructuras, las superficies y las interfaces de capa delgada mediante el efecto de la reflexión externa total de los rayos X. La reflectometría se utiliza para caracterizar estructuras y revestimientos de una o varias capas en materiales magnéticos, semiconductores y ópticos, entre otros.

En experimentos de reflectividad, la reflexión de rayos X de una muestra se mide alrededor del ángulo crítico. Esto se produce alrededor de ángulos de incidencia por roce. Bajo el ángulo crítico de reflexión externa total, los rayos X penetran solo a unos pocos nanómetros en la muestra. Sobre este ángulo, la profundidad de penetración aumenta rápidamente. En cada interfaz en que cambia la densidad de electrones, se refleja una parte del haz de rayos X. La interferencia de estos haces de rayos X parcialmente reflejados crea el patrón de oscilación que se observa en experimentos de reflectividad. A partir de estas curvas de reflectividad, se pueden determinar los parámetros de la capa, tales como grosor y densidad, y rugosidad interfacial y superficial, independientemente de la cristalinidad de cada capa (monocristalina, policristalina o amorfa).

Soluciones de reflectometría 

Los experimentos de reflectometría se pueden realizar en sistemas X'Pert³ MRD (XL) o Empyrean de Malvern Panalytical

Los datos de reflectometría se pueden analizar con una elección de procedimientos de adecuación automática aplicados en el paquete del software Reflectivity. Parte de la gama de software de XRD de Malvern Panalytical, Reflectivity utiliza el formato de datos XRDML. Mediante la adecuación automática de curvas de reflectividad de rayos X simuladas hasta especulares experimentales, Reflectivity hace que la reflectometría, anteriormente limitada a usuarios muy especializados, esté disponible para usuarios comunes.