磊晶成層結構分析
高解析度 X 光繞射 是功能強大的工具,可透過非破壞性的方式分析磊晶層、異質結構和超晶格系統的結構。
這是工業生產以及磊晶成長結構在生長階段中常用的標準工具。
從資料型樣中可獲知許多重要的資訊,包括:
在特定情況下,甚至還能研究相互擴散的形成以及界面的相互混合。
進行快速檢驗時,基板和層狀結構的峰位置皆可用於分析。
不過一般來說,在進行相關參數的定量測定時會採用以動態散射理論為依據的完整型樣模擬。
 
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|---|---|---|---|
| 技術類型 | |||
| X光繞射(XRD) | |||
| 量測類型 | |||
| 磊晶分析 | |||
| 相鑑定 | |||
| 相定量 | |||
| 界面粗糙度 | |||
| 薄膜測量 | |||
| 殘餘應力 | |||
| 紋理分析 | |||
| 倒置空間分析 | |||
| 顆粒形狀 | |||
| 顆粒尺寸 | |||
| 晶體結構測定 | |||
| 汙染物偵測和分析 | |||
| 3D結構/影像 | |||