La métrologie à rayons X est l'outil idéal pour l'analyse des couches minces des semi-conducteurs dans le développement ou la production de masse des composants micro et optoélectroniques. Les outils de mesure basés sur les méthodes à rayons X telles que la diffraction des rayons X, la réflectométrie ou la spectrométrie de fluorescence X, sont très puissants pour les études des paramètres critiques des couches épitaxiées, des hétérostructures et des super réseaux.