실리콘 반도체

전자 업계는 수 년 동안 실리콘 반도체, 데이터 스토리지, RAM, IC 및 RF 필터 기술을 배경으로 빠르게 발전해 왔으며, 이 변화의 속도는 무어의 법칙에 따라 계속 변화하고 있습니다. 이러한 소형 장치는 의료, 산업 및 정부 응용 분야를 위한 통신, PC, 가전 제품, 자동차 및 고급 전자 제품에 사용되는 많은 첨단 기기의 핵심입니다. 이러한 장치의 대부분은 실리콘 웨이퍼 기질에 여러 층의 박막을 사용합니다. X선 웨이퍼 계측 도구는 중요한 장치 매개변수를 모니터링하고 제어하기 위한 실리콘 반도체 생산 공장의 필수 요소입니다.

이 첨단 박막 기기에는 두께가 몇 마이크론에서 단층에 이르는 반도체, 금속 합금, 유전체 및 중합체가 일반적으로 사용됩니다. 새로운 장치를 이해, 개선 및 설계하려면 여러 단계로 이루어진 제작 공정의 모든 단계에서 층 두께, 결정질 단계, 합금 조성, 변형, 결정도, 밀도, 인터페이스 형태 등의 주요 박막 특성을 측정하는 것이 중요합니다. 이러한 상황은 제조 공정을 관리하는 데 사용되는 X선 계측 기법에 상당한 문제를 야기합니다. 계기는 개발 속도에 맞춰야 하며 점점 엄격해지는 반도체 웨이퍼 계측 요구를 충족해야 합니다.