L'industrie électronique a évolué rapidement au vu de la technologie des semi-conducteurs de silicium, de stockage des données, de RAM, des circuits imprimés et des filtres RF au fil des ans, et le rythme des changements continue de suivre la loi de Moore. Ces petits appareils sont au cœur de nombreux gadgets fonctionnels avancés utilisés dans la communication, les ordinateurs, l'électronique grand public, l'automobile et l'électronique de pointe pour les applications médicales, industrielles et gouvernementales. La plupart de ces dispositifs utilisent plusieurs couches minces sur des substrats de wafer de silicium. Les outils de métrologie de wafer à rayons X font partie intégrante de tout processus de fabrication de semi-conducteurs de silicium pour surveiller et contrôler les principaux paramètres des dispositifs.

Les matériaux couramment utilisés dans ces dispositifs à couches minces de pointe sont les semi-conducteurs, les alliages de métaux, les diélectriques et les polymères dont l'épaisseur varie de plusieurs microns à quelques monocouches. Pour comprendre, améliorer et concevoir de nouveaux dispositifs, il est essentiel de mesurer les propriétés clés de la couche mince, comme l'épaisseur de couche, la phase cristallographique et la composition de l'alliage, la déformation, la cristallinité, la densité et la morphologie de l'interface à chaque étape du processus de fabrication en plusieurs étapes. Cela représente des défis considérables pour les techniques de métrologie à rayons X utilisées pour contrôler le processus de fabrication. Les instruments doivent suivre le rythme des développements et répondre aux exigences de plus en plus strictes en matière de métrologie des wafers semi-conducteurs.

Performances inégalées dans les solutions de métrologie de wafers à rayons X

La performance des instruments constitue l'un des aspects clés de l'amélioration du rendement et de la qualité des produits dans la fabrication de semi-conducteurs. Au fil des ans, Malvern Panalytical a continué à proposer à ses clients des solutions haut débit et de pointe pour satisfaire les exigences de procédés en constante évolution et toujours plus strictes dans l'analyse des couches minces. 

  • L'analyseur de wafer XRF (2830 ZT) offre les toutes dernières technologies en matière de mesure d'épaisseur de couche et de composition. Spécialement conçu pour l'industrie des semi-conducteurs et du stockage de données, l'analyseur de wafer à fluorescence X à dispersion de longueur d'onde (WDXRF) 2830 ZT permet de déterminer la composition des couches, leur épaisseur, les niveaux de dopants et l'uniformité de surface pour une vaste gamme de wafers jusqu'à 300 mm. Grâce à d'excellentes performances des éléments légers jusqu'au bore et à un rendement pouvant atteindre 25 wafers par heure, 2830 ZT est le meilleur outil de métrologie de couches minces de sa catégorie pour l'industrie des semi-conducteurs.
  • La diffraction des rayons X (X'Pert3 MRD et X'Pert3 MRD XL) fournit des informations absolues précises, sans étalonnage, sur la croissance du cristal, indiquant la composition du matériau, l'épaisseur du film, le profil de classification, ainsi que la phase et la qualité du cristal

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