Electronics industries has rapidly advanced on the back of silicon SEMI, data storage, RAM, IC, and RF filter technology over the years, and the rate of change continues to follow Moore’s law. These small devices are at the heart of many advanced functional gadgets used in communication, PCs, consumer electronics, automotive, and advanced electronics for medical, industrial, and government applications. Most of these devices employ multiple layers of thin film on silicon wafer substrates. X-ray wafer metrology tools are an integral part of any silicon SEMI fab to monitor and control critical device parameters.

Typical materials used in these advanced thin-film devices are semiconductors, metal alloys, dielectrics, and polymers with thickness ranging from several microns down to monolayers. To understand, improve, and design new devices, it is essential to measure key thin film properties such as layer thickness, crystallographic phase, and alloy composition, strain, crystallinity, density, and interface morphology at every stage of the multi-step fabrication process. This presents considerable challenges to X-ray metrology techniques used to control the manufacturing process – instrumentation must keep pace with developments and meet increasingly rigorous semiconductor wafer metrology demands.    

Performances inégalées dans les solutions de métrologie de wafers à rayons X

La performance des instruments constitue l'un des aspects clés de l'amélioration du rendement et de la qualité des produits dans la fabrication de semi-conducteurs. Au fil des ans, Malvern Panalytical a continué à proposer à ses clients des solutions haut débit et de pointe pour satisfaire les exigences de procédés en constante évolution et toujours plus strictes dans l'analyse des couches minces. 

  • L'analyseur de wafer XRF (2830 ZT) offre les toutes dernières technologies en matière de mesure d'épaisseur de couche et de composition. Spécialement conçu pour l'industrie des semi-conducteurs et du stockage de données, l'analyseur de wafer à fluorescence X à dispersion de longueur d'onde (WDXRF) 2830 ZT permet de déterminer la composition des couches, leur épaisseur, les niveaux de dopants et l'uniformité de surface pour une vaste gamme de wafers jusqu'à 300 mm. Grâce à d'excellentes performances des éléments légers jusqu'au bore et à un rendement pouvant atteindre 25 wafers par heure, 2830 ZT est le meilleur outil de métrologie de couches minces de sa catégorie pour l'industrie des semi-conducteurs.
  • La diffraction des rayons X (X'Pert3 MRD et X'Pert3 MRD XL) fournit des informations absolues précises, sans étalonnage, sur la croissance du cristal, indiquant la composition du matériau, l'épaisseur du film, le profil de classification, ainsi que la phase et la qualité du cristal

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