Semiconductores compuestos

Metrología de película delgada para semiconductores compuestos

La creciente demanda del mercado de dispositivos de alto desempeño (opto-)electrónico, alta potencia y alta frecuencia está impulsando a la industria de semiconductores para abordar nuevos desafíos. GaN (nitruro de galio) y SiC (carburo de silicio) son los materiales predilectos para los componentes electrónicos de alta potencia. Los VCSEL (del inglés Vertical Cavity Surface Emitting Laser, láser emisor de superficie de cavidad vertical) basados en GaAs (arseniuro de galio) se utilizan ampliamente para el reconocimiento facial en los teléfonos celulares, mientras que la tecnología de GaN ha revolucionado la iluminación LED y los dispositivos HEMT (del inglés High Electron Mobility Transistor, Transistor de alta movilidad de electrones) de alta frecuencia. El desarrollo de películas cristalinas delgadas con propiedades ópticas y eléctricas personalizadas, la mejora continua de los procesos de producción de alto volumen y la administración mejorada de la calidad son necesarias para aumentar el rendimiento y controlar los costos de dichos dispositivos. La metrología por rayos X es una herramienta ideal y probada que ayuda a la industria a alcanzar estas metas.

Las herramientas de metrología basadas en técnicas de rayos X (XRD, XRR y XRF) han demostrado ser confiables y potentes. Ninguna otra técnica ofrece una combinación única de beneficios: Medición no destructiva, exactitud, precisión y análisis absoluto para la investigación ex-situ de las capas epiaxiales, heteroestructuras y sistemas de superentramado.

Análisis ultrarrápido y de alta precisión de las láminas de compuestos semiconductores

Desde sus inicios, Malvern Panalytical ha trabajado en estrecha colaboración con la industria de los semiconductores compuestos para convertir a la XRD y la XRF en herramientas de metrología primordiales. Conocer y comprender los problemas analíticos de nuestros clientes nos ayuda a ofrecer soluciones de control eficientes y automatizadas para I+D a través de la producción de semiconductores por volumen.

  • X'Pert3 (X'Pert3 MRD y X'Pert3 MRD XL) es una plataforma de XRD para obtener una curva de oscilación de alta resolución, reflectividad de los rayos X y análisis de mapa recíproco ultrarrápido (URSM, del inglés Ultrafast Reciprocal Map). Proporciona información absoluta y precisa sobre los parámetros de formación de cristal, como la composición del material, el grosor de la película, el perfil de nivelación, la fase y la calidad de la interfaz. Los parámetros de calidad cristalinos como la mosaicidad y la densidad de los defectos también se pueden calcular a partir de dichas mediciones. Además, una plataforma MRD también se puede utilizar para la obtención de imágenes topográficas de alta resolución de los defectos en los sustratos y en películas delgadas. El instrumento se puede utilizar tanto en el entorno de investigación como en el de producción. En el proceso de producción, se puede combinar con la carga automática de láminas.
  • La XRF (2830 ZT) proporciona información de espesor y composición para una amplia gama de películas delgadas, con niveles de contaminación, de dopante y de uniformidad de la superficie. 

Contenido destacado

Nuestras soluciones

2830 ZT

Solución avanzada de metrología de película delgada de semiconductores
2830 ZT

X'Pert³ MRD

Versátil sistema XRD de investigación y desarrollo
X'Pert³ MRD

X'Pert³ MRD XL

Versátil sistema XRD de investigación, desarrollo y control de calidad
X'Pert³ MRD XL