Die Elektronikbranche hat sich in den letzten Jahren mithilfe von Siliziumhalbleitern, Datenspeicherung, RAM, IC und HF-Filtertechnologie rasant weiterentwickelt, und die Steigerungsraten folgen dem Mooreschen Gesetz. Diese kleinen Geräte sind das Herzstück vieler fortschrittlicher funktionaler Apparate, die in der Kommunikation, der Computertechnik, der Unterhaltungselektronik, im Automobilbau und in der modernen Elektronik für medizinische, industrielle und staatlicher Anwendungen eingesetzt werden. Bei den meisten dieser Geräte kommen mehrere Dünnschichten auf Siliziumwafer-Substraten zum Einsatz. Röntgenmetrologische Geräte für Wafer sind ein integraler Bestandteil jeder Siliziumhalbleiterfabrikation und dienen zur Überwachung und Steuerung wichtiger Geräteparameter.

Die üblichen in modernen Dünnschichtgeräten eingesetzten Materialien sind Halbleiter, Metalllegierungen, Dielektrika und Polymere mit einer Dicke von wenigen Mikron bis hin zu Monolayerschichten. Für das Verständnis, die Verbesserung und den Entwurf neuer Geräte müssen in jeder Phase des mehrstufigen Fertigungsprozesses die maßgeblichen Dünnschichteigenschaften wie Schichtdicke, kristallographische Phase und Legierungszusammensetzung, Dehnung, Kristallinität, Dichte und Grenzflächenmorphologie gemessen werden. Das stellt die Röntgenmetrologie, die zur Steuerung des Fertigungsprozesses eingesetzt werden, vor erhebliche Herausforderungen. Die Geräte müssen mit den Entwicklungen Schritt halten und immer strengere Anforderungen an die Halbleiterwafer-Messtechnik erfüllen.    

Unübertroffene Leistung bei Lösungen für Röntgenwafer-Messtechnik

Die Geräteleistung ist einer der wichtigsten Aspekte bei der Verbesserung von Ertrag und Produktqualität in der Halbleiterfertigung. Im Laufe der Jahre hat Malvern Panalytical seinen Kunden konstant einen hohen Durchsatz und branchenführende Lösungen zur Unterstützung der sich ständig ändernden und immer strengeren Prozessanforderungen bei der Dünnschichtanalyse zur Verfügung gestellt. 

  • Der RFA-Wafer-Analyzer (2830 ZT) bietet alle Möglichkeiten zur Messung der Dicke und Zusammensetzung dünner Schichten. Speziell für die Halbleiter- und Datenspeicherindustrie entwickelt, ermöglicht der Wafer-Analyzer 2830 ZT, der mit wellenlängendispersiver Röntgenfluoreszenzanalyse (WDRFA) arbeitet, die Bestimmung der Zusammensetzung, der Dicke, des Dotierungsgrads und der Oberflächenbeschaffenheit von Schichten bei Wafern von bis zu 300 mm. Mit einer ausgezeichneten Leistungsfähigkeit bei leichten Elementen bis hinunter zu Bor und einem Durchsatz von bis zu 25 Wafern pro Stunde ist der 2830 ZT das branchenführende Dünnschicht-Messtechnikwerkzeug für die Halbleiterindustrie.
  • XRD (X'Pert3 MRD und X'Pert3 MRD XL) liefert absolute, kalibrierungsfreie und genaue Informationen über das Kristallwachstum und Informationen zu Materialzusammensetzung, Schichtdicke, Gradierungsprofil sowie zur Phasen- und Kristallqualität.

Weiterführende Literatur

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