고성능(opto) 전자 기기, 고전력, 고주파수 장치에 대한 시장의 수요가 증가함에 따라 오늘날의 화합물 반도체 업계는 새로운 과제를 해결하고 있습니다. GaN과 SiC는 고전력 전자 제품을 위한 최고의 재료입니다. GaAs 기반 VCSEL은 휴대폰에서 얼굴 인식에 널리 사용되고, GaN 기술은 LED 조명 및 고주파 HEMT 장치에 혁신을 가져왔습니다. 광학 및 전기적 특성에 맞춘 얇은 결정막 개발, 대량 생산 공정의 지속적인 개선, 품질 관리 향상은 모두 이러한 장치의 생산량을 늘리고 비용을 관리하는 데 필요합니다. X선 계측학은 업계에서 이러한 목표를 실현할 수 있도록 지원하는 데 입증된 이상적인 도구입니다.

X선 기법(XRD, XRR, XRF)을 기반으로 한 계측 도구는 안정적이고 강력한 것으로 입증되었습니다. 다른 어떤 기법도 유일하게 비파괴적 측정, 정확도, 정밀도, 에피택셜층, 이종 구조 및 초격자 시스템의 ex-situ 조사를 위한 절대 분석으로 이루어진 장점을 제공하지 않습니다.

화합물 반도체 웨이퍼에 대한 고정밀 초고속 분석

초기 시절부터 Malvern PANalytical은 XRD와 XRF를 ‘중추적인’ 계측 도구가 되도록 화합물 반도체 산업과 긴밀한 협력 관계를 유지해왔습니다. 고객의 분석 문제를 파악하고 이해하면 R&D에서부터 반도체 대량 생산까지 효율적이고 자동화된 제어 솔루션을 제공하는 데 도움이 됩니다.

  • X'Pert3(X'Pert3 MRDX'Pert3 MRD XL)은 고분해능 로킹 곡선, X선 반사율 및 초고속 역격자 지도(URSM) 분석을 위한 XRD 플랫폼입니다. 재료 조성, 막 두께, 등급 프로필, 경사 프로필, 위상 및 인터페이스 품질과 같은 결정 성장 매개변수에 대한 절대적이고 정확한 정보를 제공합니다. 모자익시티 및 결손 밀도와 같은 결정질 매개 변수는 이러한 측정에서도 추정할 수 있습니다. 또한 기질 및 박막 결함의 고해상도 지형 이미징에도 MRD 플랫폼을 사용할 수 있습니다. 이 기기는 연구 및 생산 환경 모두에서 사용할 수 있습니다. 생산 과정에서 자동 웨이퍼 로드와 결합될 수 있습니다.
  • XRF(2830 ZT)는 오염과 도펀트 수준, 표면 균일성을 포함한 다양한 박막 물질에 대한 두께 및 조성 정보를 제공합니다. 

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