The increasing market demand for high-performing (opto)-electronic, high- power, high- frequency devices is driving today’s compound semiconductor industry to address new challenges. GaN and SiC are the materials of choice for high-power electronics. GaAs- based VCSELs are widely used for facial recognition in mobile phones, while GaN technology has revolutionized the LED lightening and high- frequency HEMT devices. The development of thin crystalline films with tailored optical and electrical properties, the continuous improvement of high-volume production processes, and enhanced quality management are all necessary to increase yield and control the costs of such devices. X-ray metrology is an ideal, proven tool to help the industry realize these goals.

Metrology tools based on X-ray techniques (XRD, XRR, and XRF)  have been proven to be reliable and powerful. No other technique offers a unique combination of benefits – non-destructive measurement, accuracy, precision, and absolute analysis for the ex-situ investigation of epitaxial layers, heterostructures, and superlattice systems.

Analyse ultra-rapide de haute précision des wafers semi-conducteurs

Depuis sa création, Malvern Panalytical travaille en étroite collaboration avec l'industrie des semi-conducteurs pour que la diffraction des rayons X et la spectrométrie de fluorescence X deviennent des outils de métrologie essentiels. Connaître et comprendre les problèmes d'analyse de nos clients nous permet de proposer des solutions de contrôle efficaces et automatisées pour la recherche et le développement jusqu'à la production en série de semi-conducteurs.

  • X'Pert3 (X'Pert3 MRD et X'Pert3 MRD XL) est une plate-forme de diffraction des rayons X pour l'analyse des rocking curves haute résolution, de la réflectivité des rayons X et de la cartographie de réseau réciproque ultra-rapide (URSM). Il fournit des informations absolues et précises sur les paramètres de croissance du cristal comme la composition du matériau, l'épaisseur de la couche, le profil de classification, la phase et la qualité de l'interface. Les paramètres de qualité cristalline tels que la mosaïcité et la densité des défauts peuvent également être estimés à partir de ces mesures. En outre, une plate-forme MRD peut également être utilisée pour l'imagerie topographique haute résolution des défauts dans les substrats et les couches minces. L'instrument peut être utilisé à la fois dans les environnements de recherche et de production. Dans le processus de production, il peut être combiné à un chargement automatique des wafers.
  • Le spectromètre de fluorescence X (2830 ZT) fournit des informations sur l'épaisseur et la composition d'une vaste gamme de couches minces, avec les niveaux de contamination et de dopants ainsi que l'uniformité de surface. 

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