Verbindungshalbleiter

Dünnschicht-Messtechnik für Verbindungshalbleiter

Die steigende Marktnachfrage nach leistungsstarken (opto-)elektronischen Hochfrequenzgeräten zwingt die heutige Verbindungshalbleiterbranche dazu, sich neuen Herausforderungen zu stellen. GaN und SiC sind die Materialien der Wahl in der Hochleistungselektronik. GaAs-basierte VCSELs werden in Mobiltelefonen häufig für die Gesichtserkennung verwendet, während die GaN-Technologie die LED-Beleuchtung und Hochfrequenz-HEMT-Geräte revolutioniert hat. Die Entwicklung dünner kristalliner Schichten mit maßgeschneiderten optischen und elektrischen Eigenschaften, die kontinuierliche Verbesserung von Produktionsprozessen mit hohem Durchsatz und ein verbessertes Qualitätsmanagement sind notwendig, um die Erträge zu steigern und die Kosten derartiger Geräte zu kontrollieren. Die Röntgenmetrologie ist ein ideales und bewährtes Werkzeug, das der Industrie dabei hilft, diese Ziele zu erreichen.

Messtechnische Geräte, die auf Röntgenstrahlverfahren (XRD, XRR und XRF) basieren, haben sich als zuverlässig und leistungsstark erwiesen. Kein anderes Verfahren verfügt über diese einzigartige Kombination von Vorteilen: zerstörungsfreie Messung, Genauigkeit, Präzision und umfassende Analysen für die Untersuchung von epitaktischen Schichten, Heterostrukturen und Supergittersystemen.

Hochpräzise, ultraschnelle Analyse von Verbindungshalbleiter-Wafern

Seit den Anfängen hat Malvern Panalytical eng mit der Verbindungshalbleiterbranche zusammengearbeitet, um die Verfahren XRD und RFA in der Messtechnik zu etablieren. Wenn wir die Analyseprobleme unserer Kunden kennen und verstehen, können wir effiziente und automatisierte Lösungen für F&E bis hin zur Halbleitermassenproduktion anbieten.

  • X'Pert3 (X'Pert3 MRD und X'Pert3 MRD XL) ist eine XRD-Plattform für die Messung hochaufgelöster Rockingkurven und Röntgenreflektivität, sowie die ultraschneller Analyse reziproker Gitterkarten. Sie liefert absolute und genaue Informationen zu Kristallwachstumsparametern wie Materialzusammensetzung, Schichtdicke, Gradierungsprofil, Phase und Grenzflächenqualität. Parameter der kristallinen Qualität, wie z. B. Mosaikstruktur und Defektdichte, können ebenfalls anhand solcher Messungen geschätzt werden. Darüber hinaus kann die MRD-Plattform auch für die hochauflösende topografische Abbildung von Defekten in Substraten und Dünnschichten verwendet werden. Das Gerät kann sowohl in der Forschung als auch in Produktionsumgebungen eingesetzt werden. Im Produktionsprozess kann es optional mit einem automatischen Wafer-Ladesystem ausgerüstet werden.
  • XRF (2830 ZT) liefert Informationen zu Dicke und Zusammensetzung für eine Vielzahl von Dünnschichten, mit Kontaminationen, Dotierungsgraden und Oberflächenbeschaffenheit. 

Ausgewählte Inhalte

Unsere Lösungen

2830 ZT

Fortgeschrittene Lösung für die Halbleiter-Dünnschicht-Messtechnik
2830 ZT

X'Pert³ MRD

Vielseitiges Röntgendiffraktometer für Forschung und Entwicklung
X'Pert³ MRD

X'Pert³ MRD XL

Vielseitiges Röntgendiffraktometer für Forschung, Entwicklung und Qualitäts...
X'Pert³ MRD XL