Рентгеновские измерения являются идеальным средством анализа тонких пленок комплексных полупроводников при разработке и массовом производстве эпитаксиальных и слоистых микро- и оптоэлектронных устройств. В основу измерительной техники положены такие методы, как XRD, XRR и XRF – проверенные эффективные методы внешнего контроля критических параметров материала эпитаксиальных слоев, гетероструктур и сверхрешеток.