Рентгеновская рефлектометрия (XRR) — аналитический метод исследования тонкослойных структур, поверхностей и границ раздела с использованием эффекта полного внешнего отражения рентгеновского излучения. Рефлектометрия применяется для характеризации одно- или многослойных структур и покрытий в магнитных, полупроводниковых, оптических материалах и др.

В экспериментах по рефлектометрии отражение рентгеновского излучения образца измеряется в пределах критического угла. Это происходит под углами скользящего падения. В условиях полного внешнего отражения ниже критического угла рентгеновские лучи проникают в образец только на несколько нанометров. Если этот угол превышен, глубина проникновения луча быстро увеличивается. У каждой границы раздела, где изменяется электронная плотность, отражается часть рентгеновского пучка. Интерференция этих частично отраженных рентгеновских пучков создает рисунок колебаний, наблюдаемый в экспериментах по рефлектометрии. На основании этих кривых отражательной способности можно определить параметры слоя, такие как толщина и плотность, шероховатость границы раздела и поверхности, независимо от кристалличности каждого слоя (монокристаллического, поликристаллического или аморфного).

Решения для рефлектометрии 

Эксперименты по рефлектометрии можно проводить на системах X'Pert³ MRD (XL) или Empyrean компании Malvern Panalytical. 

Данные по рефлектометрии анализируются после выбора автоматических процедур подгонки, реализованных в программном пакете Reflectivity. Также являясь программным обеспечением для XRD, Reflectivity компании Malvern Panalytical использует формат данных XRDML. ПО Reflectivity обеспечивает автоматическую подгонку смоделированных экспериментальных кривых зеркальной отражательной способности в спектре рентгеновского излучения. Теперь благодаря его возможностям рефлектометрия становится доступной не только для высокопрофессиональных специалистов, но обычных пользователей.