化合物半導体

化合物半導体の薄膜計測

課題と今後の動向

この高性能(光)電子工学、高出力、高周波装置に対する市場の要求が増加することで、現在の化合物半導体産業は新たな課題に取り組んでいます。GaNおよびSiCは、高出力電子部品に適した物質です。GaAsベースのVCSELは、スマートフォンの顔認識用に広く使用されており、GaN技術は、LED照明や高周波HEMT装置に革命をもたらしました。調整された光学的/電気的特性を備えた結晶性薄膜のようなイノベーション、大量生産プロセスの継続的な向上、および強化された品質管理のすべてが、収率を上げ、このような装置の製造コストを管理する上で必要です。X線計測は、業界がこれらの目標を効率的に達成するための、理想的で実績のある装置となります。 

X線技術に基づいた計測装置(XRDXRR、およびXRF)は、高い信頼性と性能が実証されています。エピタキシャル層、ヘテロ構造、超格子システムに適した現場外調査非破壊測定、精度、正確性、絶対分析などのX線技術のメリットを独自に組み合わせて提供する技術は他にありません。 

当社の化合物半導体ソリューション

Malvern Panalyticalは、化合物半導体業界との初期からの緊密な協力により、業界標準の計測ツールとしてXRDおよびXRFを確立してきました。この長い経験により、当社はお客様の分析上の問題を理解し、研究開発から半導体製品の大量生産まで対応する効率的で自動化された管理ソリューションを提供できます。

X線回折 

X'Pert3 (X'Pert3 MRDおよびX'Pert3 MRD XL)は、高解像度ロッキングカーブ、X線反射、および超高速の逆格子マップ(URSM)分析のためのXRDプラットフォームです。材料組成、膜厚、粒度特性、相、界面特性などの結晶成長パラメータに関する絶対的で正確な情報を提供します。モザイク性や欠陥密度などの結晶品質パラメータも、これらの測定値から予測できます。また、MRDプラットフォームも基板や薄膜の欠陥の高解像度な立体的画像処理にも使用します。機器は、研究と生産の両方の環境で使用されます。生産プロセスでは、自動ウェーハ装填と組み合わせて使用されます。 

当社の新しい高速結晶方位シリーズは、方位角スキャン技術を利用して結晶格子方位を決定し、わずか 10 秒で結果を返します。幅広い材料の特性評価が可能なSDCOMおよびDDCOMベンチトップは、精度を損なうことなく高速を実現します。一方、OmegaTheta XRDは最高の精度と柔軟性を提供し、Wafer XRDはウェーハ端部制御のための高度な選別オプションを備えた高スループット スクリーニングを可能にします。一方、XRD-OEMツールは、グラインダーやワイヤーソーなどの結晶処理装置内で直接インライン結晶配向を行うための統合ソリューションを提供します。 

蛍光X線 

XRF (2830 ZT)は、汚染、ドーパントレベル、表面の均一性を含む、多様な薄膜の厚さと組成に関する情報を提供します。原子層の半分までの厚さを分析できます。 

特集

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