高性能(光)電子工学、高出力、高周波装置に対する市場の要求が増加することで、現在の化合物半導体産業は新たな課題に取り組んでいます。 GaNおよびSiCは、高出力電子部品に適した物質です。 GaAsベースのVCSELは、スマートフォンの顔認識用に広く使用されており、GaN技術は、LED照明や高周波HEMT装置に革命をもたらしました。 調整された光学的/電気的特性を備えた結晶性薄膜の開発、大量生産プロセスの継続的な向上、および強化された品質管理のすべてが、収率を上げ、このような装置のコストを管理する上で必要です。 X線計測は、業界がこれらの目標を達成するための、理想的で実績のある装置です。

X線技術に基づいた計測装置(XRDXRR、およびXRF)は、高い信頼性と性能が実証されています。 エピタキシャル層、ヘテロ構造、超格子システムに適したトルツメ非破壊測定、精度、正確性、絶対分析などのメリットを独自に組み合わせて提供する技術は他にありません。

化合物半導体ウェーハの高精度超高速分析

Malvern Panalyticalは、当初から化合物半導体産業と緊密な共同作業を重ね、XRDとXRFを「バックボーン」となる計測ツールに変化させてきました。 お客さまの分析に関する問題を把握し、理解することで、研究開発から半導体製品の大量生産まで対応する効率的で自動化された管理ソリューションを提供できます。

  • X'Pert3 (X'Pert3 MRDおよびX'Pert3 MRD XL)は、高解像度ロッキングカーブ、X線反射、および超高速の逆格子マップ(URSM)分析のためのXRDプラットフォームです。 材料組成、膜厚、結晶子、相、界面特性などの結晶成長パラメータに関する絶対的で正確な情報を提供します。 モザイク性や欠陥密度などの結晶品質パラメータも、これらの測定値から予測できます。 また、MRDプラットフォームも基板や薄膜の欠陥の高解像度な立体的画像処理にも使用します。 機器は、研究開発と生産の両方の環境で使用されます。 生産プロセスでは、自動ウェーハ装填と組み合わせて使用されます。
  • XRF (2830 ZT)は、汚染、ドーパントレベル、表面の均一性を含む、多様な薄膜の厚さと組成に関する情報を提供します。 

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